日立ABB IGBT模塊，PNJ（派恩杰）碳化硅分立器件及模塊，Lite-On（光寶）光耦驅(qū)動，SCR功率薄膜電容等核心功率器件。
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更新日期2023-10-30 09:57
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品牌： |
ABB |
所在地： |
湖北 武漢市 |
起訂： |
≥1 只 |
供貨總量： |
999 只 |
有效期至： |
長期有效 |
VCE： |
3300V |
Ic： |
1500A |
品牌： |
ABB |
超低損耗、堅固耐用的SPT+芯片組
平滑切換SPT+芯片組，實現(xiàn)良好的EMC
用于高功率循環(huán)能力AlSiC基板
用于低熱阻的AlN襯底
改進(jìn)的高可靠性封裝
根據(jù)UL1557認(rèn)證，文件E196689
我們提供多樣化的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品組合，包括功率范圍為 150 安至 13500 安和 200 伏至 8500 伏的 GTO、IGBT、IGCT、晶閘管和二極管。 如今，我們多樣化的半導(dǎo)體系列確保電動汽車和火車平穩(wěn)運行，發(fā)電，風(fēng)力渦輪機可靠運轉(zhuǎn)。
ABB IGBT 功率模塊有單相、雙相/相臂、斬波器 IGBT 和雙二極管模塊，電壓范圍為 1700 至 6500 伏。高功率 HiPak IGBT 模塊具有低損耗、軟開關(guān)性能和破紀(jì)錄的作業(yè)區(qū) (SOA)。新推出的 62Pak 和 LoPak 快速開關(guān)中功率 IGBT 模塊具有的開關(guān)損耗、全 175°C 運行、正方形 SOA 以及可插入式更換的標(biāo)準(zhǔn)封裝。
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